栾彩娜

高级实验师

硕士生导师

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论文成果
Structural and electrical properties of epitaxial SnO2: Sb films deposited on 6 H-SiC by MOCVD
  • 所属单位:
    物理学院
  • 发表刊物:
    JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
  • 全部作者:
    栾彩娜,马瑾
  • 第一作者:
    栾彩娜
  • 论文类型:
    基础研究
  • 论文编号:
    lw-154618
  • 卷号:
    586
  • 页面范围:
    426
  • 是否译文:
  • 发表时间:
    2014-01-08
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