登录
|
首页
|
返回
|
English
栾彩娜
高级实验师
硕士生导师
电子邮箱:
论文成果
返回中文主页
Fabrication and improved photoelectrochemical properties of a transferred GaN-based thin film with InGaN/GaN layers
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
NANOSCALE
全部作者:
肖洪地,栾彩娜,毛宏志,刘建强,刘向东
第一作者:
曹得重
论文类型:
基础研究
论文编号:
D724A0DD21A549D288EB38A47DA64552
卷号:
9
期号:
32
页面范围:
11504
是否译文:
否
发表时间:
2017-08-28
上一条:
Preparation and characterization of transparent indium- doped TiO2 films deposited by MOCVD
下一条:
Synthesis and characterization of structural and optical properties of single crystalline a-TiO2 films on MgAl2O4(111) substrate
版权所有 ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室
回到顶部