栾彩娜

Fabrication and improved photoelectrochemical properties of a transferred GaN-based thin film with InGaN/GaN layers

• 所属单位：
  微电子学院
• 发表刊物：
  NANOSCALE
• 全部作者：
  肖洪地,栾彩娜,毛宏志,刘建强,刘向东
• 第一作者：
  曹得重
• 论文类型：
  基础研究
• 论文编号：
  D724A0DD21A549D288EB38A47DA64552
• 卷号：
  9
• 期号：
  32
• 页面范围：
  11504
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2017-08-28