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Fabrication and improved photoelectrochemical properties of a transferred GaN-based thin film with InGaN/GaN layers

发布时间:2019-10-24
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
NANOSCALE
全部作者:
肖洪地,栾彩娜,毛宏志,刘建强,刘向东
第一作者:
曹得重
论文类型:
基础研究
论文编号:
D724A0DD21A549D288EB38A47DA64552
卷号:
9
期号:
32
页面范围:
11504
是否译文:
发表时间:
2017-08-28