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栾彩娜
高级实验师
硕士生导师
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论文成果
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Lift-Off Mechanism of GaN Thin Films with Buried Nanocavities Investigated by SEM and TEM
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Journal of Electronic Materials
全部作者:
肖洪地,毛宏志,栾彩娜,刘建强,马瑾
第一作者:
肖洪地
论文类型:
基础研究
论文编号:
DBE67F01DB544898847C76A91BEC549C
卷号:
48
页面范围:
3036
是否译文:
否
发表时间:
2019-02-01
上一条:
Fabrication and properties of wafer-scale nanoporous GaN distributed Bragg reflectors with strong phase-separated InGaN/GaN layers
下一条:
Structural, electrical and optical properties of epitaxial Ta-doped titania films by MOCVD
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