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栾彩娜
高级实验师
硕士生导师
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论文成果
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Fabrication and properties of wafer-scale nanoporous GaN distributed Bragg reflectors with strong phase-separated InGaN/GaN layers
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Journal of Alloys and Compounds
全部作者:
肖洪地,栾彩娜,刘建强,马瑾
第一作者:
肖洪地
论文类型:
基础研究
论文编号:
33264FFBCC3A4DEAB2240EA5EAB459F7
卷号:
789
页面范围:
658
是否译文:
否
发表时间:
2019-03-04
上一条:
Structure and growth mechanism of quasi-aligned GaN layer-built nanotowers
下一条:
Lift-Off Mechanism of GaN Thin Films with Buried Nanocavities Investigated by SEM and TEM
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