Epitaxial growth of SnO2 films on 6H-SiC (0 0 0 1) by MOCVD
点击次数：
所属单位：物理学院
发表刊物：Materials Research Bulletin
第一作者：马瑾
论文类型：基础研究
论文编号：lw-102410
卷号：47
期号：2
页面范围：253
是否译文：否
发表时间：2012-01-10
发表时间：2012-01-10
高级实验师 硕士生导师
性别：女
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士
在职信息：在职
所在单位：集成电路学院
入职时间：2005-07-16
学科：微电子学与固体电子学
Epitaxial growth of SnO2 films on 6H-SiC (0 0 0 1) by MOCVD
点击次数：
所属单位：物理学院
发表刊物：Materials Research Bulletin
第一作者：马瑾
论文类型：基础研究
论文编号：lw-102410
卷号：47
期号：2
页面范围：253
是否译文：否
发表时间：2012-01-10
发表时间：2012-01-10