Effect of Ta doping on the properties of beta-Ga2O3 heteroepitaxial films prepared on KTaO3(100) substrates
发布时间：2021-05-28
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- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- Journal of Materials Science: Materials in Electronics
- 第一作者：
- 王迪
- 论文编号：
- B219DC80D7834A9FA49D4957ED10C84F
- 卷号：
- 32
- 期号：
- 3
- 页面范围：
- 2757
- 字数：
- 5
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2021-02-01