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一种正交结构氧化锡单晶薄膜的制备方法
发布时间：2019-01-26
点击次数：
专利名称：
一种正交结构氧化锡单晶薄膜的制备方法
所属单位：
物理学院
申请号：
201010011442.8
发明人数：
2
是否职务专利：
否
申请日期：
2010-01-14
发布时间：
2019-01-26
上一条：
一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法
