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一种正交结构氧化锡单晶薄膜的制备方法
发布时间：2019-01-26
点击次数：
所属单位：
物理学院
发明设计人：
马瑾
申请号：
201010011442.8
发明人数：
2
是否职务专利：
否
申请日期：
2010-01-14
上一条：
一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法
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