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专利
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一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法
发布时间：2019-04-15
点击次数：
所属单位：
微电子学院
专利类型：
发明
申请号：
201710551026.9
发明人数：
2
是否职务专利：
否
申请日期：
2017-07-07
公开日期：
2019-10-01
授权日期：
2019-10-01
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一种在钇掺杂氧化锆衬底上制备立方结构氧化铟单晶薄膜的方法
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