一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法
点击次数：
所属单位：微电子学院
专利类型：发明
申请号：201710551026.9
发明人数：2
是否职务专利：否
申请日期：2017-07-07
公开日期：2019-10-01
授权日期：2019-10-01
公开日期：2019-10-01
申请日期：2017-07-07
授权日期：2019-10-01
高级实验师 硕士生导师
性别：女
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士
在职信息：在职
所在单位：集成电路学院
入职时间：2005-07-16
学科：微电子学与固体电子学
一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法
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所属单位：微电子学院
专利类型：发明
申请号：201710551026.9
发明人数：2
是否职务专利：否
申请日期：2017-07-07
公开日期：2019-10-01
授权日期：2019-10-01
公开日期：2019-10-01
申请日期：2017-07-07
授权日期：2019-10-01