栾彩娜

高级实验师

硕士生导师

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一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法
  • 所属单位:
    微电子学院
  • 专利类型:
    发明
  • 申请号:
    201710551026.9
  • 发明人数:
    2
  • 是否职务专利:
  • 申请日期:
    2017-07-07
  • 公开日期:
    2019-10-01
  • 授权日期:
    2019-10-01
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