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专利
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一种高迁移率铌掺杂氧化锡单晶薄膜的制备方法
发布时间:2019-04-15
点击次数:
所属单位:
微电子学院
专利类型:
发明
申请号:
201710551026.9
发明人数:
2
是否职务专利:
否
申请日期:
2017-07-07
公开日期:
2019-10-01
授权日期:
2019-10-01
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一种在钇掺杂氧化锆衬底上制备立方结构氧化铟单晶薄膜的方法
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