一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法
点击次数:
所属单位:物理学院
申请专利人:栾彩娜
专利类型:发明
申请号:201010531195.4
发明人数:2
是否职务专利:否
申请日期:2010-11-04
公开日期:2012-02-01
授权日期:2012-02-01
公开日期:2012-02-01
申请日期:2010-11-04
授权日期:2012-02-01
一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法
点击次数:
所属单位:物理学院
申请专利人:栾彩娜
专利类型:发明
申请号:201010531195.4
发明人数:2
是否职务专利:否
申请日期:2010-11-04
公开日期:2012-02-01
授权日期:2012-02-01
公开日期:2012-02-01
申请日期:2010-11-04
授权日期:2012-02-01