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专利
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一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法
发布时间：2019-04-15
点击次数：
所属单位：
物理学院
申请专利人：
栾彩娜
专利类型：
发明
申请号：
201010531195.4
发明人数：
2
是否职务专利：
否
申请日期：
2010-11-04
公开日期：
2012-02-01
授权日期：
2012-02-01
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一种带隙宽度可调的铝铟氧化物薄膜材料及其制备方法
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