栾彩娜

高级实验师

硕士生导师

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一种在钇掺杂氧化锆衬底上制备立方结构氧化铟单晶薄膜的方法
  • 所属单位:
    物理学院
  • 申请专利人:
    栾彩娜
  • 专利类型:
    发明
  • 申请号:
    201010141341.2
  • 发明人数:
    2
  • 是否职务专利:
  • 申请日期:
    2010-04-08
  • 公开日期:
    2011-06-01
  • 授权日期:
    2011-06-01
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