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专利
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一种在钇掺杂氧化锆衬底上制备立方结构氧化铟单晶薄膜的方法
发布时间：2019-04-15
点击次数：
所属单位：
物理学院
申请专利人：
栾彩娜
专利类型：
发明
申请号：
201010141341.2
发明人数：
2
是否职务专利：
否
申请日期：
2010-04-08
公开日期：
2011-06-01
授权日期：
2011-06-01
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