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专利
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一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法
发布时间：2019-04-15
点击次数：
所属单位：
物理学院
申请专利人：
马瑾,栾彩娜
专利类型：
发明
申请号：
200810014907.8
发明人数：
2
是否职务专利：
否
申请日期：
2008-03-31
公开日期：
2012-02-01
授权日期：
2012-02-01
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一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法
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