一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法
点击次数：
所属单位：物理学院
申请专利人：马瑾,栾彩娜
专利类型：发明
申请号：200810014907.8
发明人数：2
是否职务专利：否
申请日期：2008-03-31
公开日期：2012-02-01
授权日期：2012-02-01
公开日期：2012-02-01
申请日期：2008-03-31
授权日期：2012-02-01
高级实验师 硕士生导师
性别：女
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士
在职信息：在职
所在单位：集成电路学院
入职时间：2005-07-16
学科：微电子学与固体电子学
一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法
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所属单位：物理学院
申请专利人：马瑾,栾彩娜
专利类型：发明
申请号：200810014907.8
发明人数：2
是否职务专利：否
申请日期：2008-03-31
公开日期：2012-02-01
授权日期：2012-02-01
公开日期：2012-02-01
申请日期：2008-03-31
授权日期：2012-02-01