一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法

发布时间:2019-04-15
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所属单位:
物理学院
申请专利人:
马瑾,栾彩娜
专利类型:
发明
申请号:
200810015687.0
发明人数:
2
是否职务专利:
申请日期:
2008-04-14
公开日期:
2009-12-30
授权日期:
2009-12-30