一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法
点击次数:
所属单位:物理学院
申请专利人:马瑾,栾彩娜
专利类型:发明
申请号:200810015687.0
发明人数:2
是否职务专利:否
申请日期:2008-04-14
公开日期:2009-12-30
授权日期:2009-12-30
公开日期:2009-12-30
申请日期:2008-04-14
授权日期:2009-12-30
一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法
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所属单位:物理学院
申请专利人:马瑾,栾彩娜
专利类型:发明
申请号:200810015687.0
发明人数:2
是否职务专利:否
申请日期:2008-04-14
公开日期:2009-12-30
授权日期:2009-12-30
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申请日期:2008-04-14
授权日期:2009-12-30