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Polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors

发布时间:2019-10-22
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Applied physics letters
全部作者:
孟令国
第一作者:
林兆军
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-96689
卷号:
98
期号:
12
页面范围:
123512-1
是否译文:
发表时间:
2011-03-25