Evaluating AlGaN/AlN/GaN heterostructure Schottky barrier heights with flat-band voltage from forward Current-Voltage characteristics
发布时间：2019-10-22
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- 所属单位：
- 物理学院
- 发表刊物：
- Applied physics letters
- 全部作者：
- 孟令国
- 第一作者：
- 林兆军
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- lw-96700
- 卷号：
- 99
- 期号：
- 12
- 页面范围：
- 123504
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2011-09-22