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穆文祥
副教授
所属院部:
新一代半导体材料集成攻关大平台
访问次数:
次
论文成果
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Ti-Doped beta-Ga2O3: A Promising Material for Ultrafast and Tunable Lasers
所属单位:
晶体材料研究所
发表刊物:
Crystal growth & Design
全部作者:
陶绪堂,贾志泰,尹延如,胡强强,李阳,张健
第一作者:
穆文祥
论文类型:
基础研究
论文编号:
47CBE721CDF2490E80EB5FC3CDF27DAF
卷号:
18
期号:
5
页面范围:
3037
是否译文:
否
发表时间:
2018-05-01
上一条:
Bulk growth and an efficient mid-IR laser of high-quality Er:YSGG crystals
下一条:
Optimizing growth, structure, and elastic-electrical properties of acentric melilite CaYAl3O7 crystals
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