穆文祥,山东济南人,博士生导师。2013年和2018年分别获得山东大学理学学士和工学博士学位,师从陶绪堂教授。致力于超宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的生长、衬底加工、性能优化及器件研究。设计、优化了导模法单晶生长装备,从无到有生长获得了高质量、大尺寸β-Ga2O3单晶,与国内外相关单位开展合作,获得了高性能半导体器件。研究工作获得了国家重点研发计划、国家自然基金重点项目、山东省重大科技创新工程等一系列重大项目资助。以上述工作为基础,参与建设国家级平台“新一代半导体材料集成攻关大平台”及山东大学济南宽禁带半导体产业研究院。发表学术论文30余篇,申请发明专利15项。
宽禁带半导体材料制备、衬底加工,新型半导体材料探索与器件,光电功能晶体材料制备与性能表征
1. 极端条件下氧化镓材料生长与垂直功率器件特性研究, 2024/01/01-2027/12/31
2. 高质量氧化镓薄膜外延中的缺陷控制和电学性能调控基础研究, 2023/10/31-2026/12/31
3. 高质量氧化镓薄膜外延中的缺陷控制 和电学性能调控基础研究, 2024/01/01-2026/12/31
4. 氧化镓外延薄膜装备及薄膜生长工艺研究, 2022/11/01-2024/11/30
5. 氧化镓功率器件及模组的关键科学问题研究, 2020/12/16-2023/12/31
6. 低价层状镍氧化合物的超导电性, 2020/09/18-2024/12/31
7. 低阻β-Ga2O3单晶的高效制备与局域载流子浓度调控机制研究, 2020/09/18-2023/12/31