• Name (English):
  Wenxiang Mu
• Name (Pinyin):
  muwenxiang
• Date of Birth:
  1989-12-13
• Date of Employment:
  2018-11-09
• School/Department:
  晶体材料研究院
• Education Level:
  Postgraduate (Doctoral)
• Business Address:
  新一代半导体材料研究院
• Gender:
  Male
• Degree:
  Doctor
• Status:
  Employed
• Alma Mater:
  山东大学

穆文祥，副教授，博士生导师。华为浩然学者，小米青年学者，山东大学“青年学者未来计划”获得者。2013年和2018年分别获得山东大学理学学士和工学博士学位。致力于超宽禁带半导体β-Ga2O3单晶的生长、衬底加工、性能优化及器件研究。设计、优化了导模法单晶生长装备，从无到有生长获得了高质量、大尺寸β-Ga2O3单晶，与国内外相关单位开展合作，获得了高性能半导体器件。研究工作获得了国家重点研发计划、国家自然基金重点项目、山东省重大科技创新工程、广东省重点领域研发计划等一系列重大项目资助。在Advanced Materials, Crystal Growth Design,ACS Applied Materials & Interfaces，Applied Physics Letters等杂志发表学术论文60余篇，他引1600余次。申请发明专利15项，并实现千万级成果转化。