登录
|
山东大学
|
English
穆文祥
副教授
所属院部:
新一代半导体材料集成攻关大平台
访问次数:
次
论文成果
返回中文主页
Effects of gallium substitution on crystal growth and properties of gehlenite single crystal
所属单位:
晶体材料研究所
发表刊物:
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
关键字:
压电晶体
全部作者:
贾志泰,张健,陶绪堂
第一作者:
尹延如
论文类型:
基础研究
论文编号:
26FDD7EC56F64B82B89CDC0018DEE95D
是否译文:
否
发表时间:
2020-01-16
上一条:
Anisotropy and In-Plane Polarization of Low-Symmetrical β-Ga2O3 Single Crystal in the Deep Ultraviolet Band
下一条:
Crystal growth, thermal and optical properties of TSLAG magneto-optical crystals
版权所有 ©山东大学 地址:中国山东省济南市山大南路27号 邮编:250100
查号台:(86)-0531-88395114
值班电话:(86)-0531-88364731 建设维护:山东大学信息化工作办公室
回到顶部