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穆文祥
副教授
所属院部:
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Effects of gallium substitution on crystal growth and properties of gehlenite single crystal
所属单位:
晶体材料研究院
发表刊物:
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
第一作者:
尹延如
论文类型:
基础研究
论文编号:
A01749F315B943D5B33D9E0A7A45E079
卷号:
823
是否译文:
否
发表时间:
2020-05-15
上一条:
A study on the technical improvement and the crystalline quality optimization of columnar β-Ga2O3 crystal growth by an EFG method
下一条:
Anisotropy and In-Plane Polarization of Low-Symmetrical β-Ga2O3 Single Crystal in the Deep Ultraviolet Band
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