穆文祥
副教授
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Enhancement-mode Ga2O3 FET with high mobility using p-type SnO heterojunction
  • 所属单位：
    集成电路学院
  • 发表刊物：
    IEEE Electron Device Letters
  • 关键字：
    Alumina;Aluminum oxide;Field effect transistors;Gallium compounds;Heterojunctions;II-VI semiconductors;Nanosheets;Semiconducting indium compounds;Zinc oxide;Back channels;Filed-effect-transistor;Gallium oxide (ga2o3);High mobility;Mobility (μ);Mode operation;Nano sheet;P-n heterojunctions;p-Type SnO;Threshold voltage (VTH);Gallium oxide (Ga2O3);filed-effecttransistors (FETs);heterojunction;threshold voltage (V-TH);p-type SnO;mobility (mu)
  • 第一作者：
    王珣珣
  • 论文编号：
    1478204783637565441
  • 卷号：
    43
  • 期号：
    1
  • 页面范围：
    44-47
  • 字数：
    5
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2022-01-01
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