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穆文祥
副教授
所属院部:
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Efficient Suppression of Persistent Photoconductivity in β-Ga2O3-Based Photodetectors with Square Nanopore Arrays
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
ACS. Appl. Mater. Interfaces
第一作者:
杨华荣
论文编号:
E71C9C080D774CF5B02DEE14896116DF
卷号:
15
期号:
27
页面范围:
32561
字数:
4
是否译文:
否
发表时间:
2023-06-27
上一条:
Crystal growth and design of Sn-doped β-Ga2O3: Morphology, defect and property studies of cylindrical crystal by EFG?
下一条:
Enhancement-mode Ga2O3 FET with high mobility using p-type SnO heterojunction
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