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穆文祥
副教授
所属院部:
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Crystal growth and design of Sn-doped β-Ga2O3: Morphology, defect and property studies of cylindrical crystal by EFG?
所属单位:
新一代半导体材料研究院
发表刊物:
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
第一作者:
付博
论文编号:
9AF73F468D7C4DEF895C5DF22DA49A12
期号:
896
字数:
6
是否译文:
否
发表时间:
2021-11-24
上一条:
Investigation of the blue color center in β-Ga2O3 crystals by the EFG method
下一条:
Efficient Suppression of Persistent Photoconductivity in β-Ga2O3-Based Photodetectors with Square Nanopore Arrays
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