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穆文祥
副教授
所属院部:
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Crystal growth and design of Sn-doped β-Ga2O3: Morphology, defect and property studies of cylindrical crystal by EFG?method
所属单位:
新一代半导体材料研究院
发表刊物:
CrystEngComm
第一作者:
付博
论文编号:
766AF9282F384820996C8A3EE9BD2FF4
期号:
23
页面范围:
8360
字数:
6
是否译文:
否
发表时间:
2021-10-11
上一条:
Effects of gallium substitution on crystal growth and properties of gehlenite single crystal
下一条:
Investigation of the blue color center in β-Ga2O3 crystals by the EFG method
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