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穆文祥
副教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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Rapid epitaxy of 2-inch and high-quality alpha-Ga2O3 films by mist-CVD method
所属单位：
晶体材料研究院
发表刊物：
Journal of Semiconductors
第一作者：
Wang, Xiaojie
论文编号：
1678970499690606594
卷号：
44
期号：
6
字数：
4000
是否译文：
否
发表时间：
2023-06-01
上一条：
The anisotropy dependence of deformation mechanism of cleavage planes in β-Ga2O3 single crystal
下一条：
A High Responsivity and Photosensitivity Self-Powered UV Photodetector Constructed by the CuZnS/Ga2O3 Heterojunction
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