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穆文祥
副教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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High-Performance beta-Ga2O3 Solar-Blind Photodetector With Extremely Low Working Voltage
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
IEEE Electron Device Letters
第一作者：
Chen, Chen
论文编号：
D28F653E3CF3443DBEF3C701EA361D1A
卷号：
42
期号：
10
页面范围：
1492
字数：
5000
是否译文：
否
发表时间：
2021-10-01
上一条：
Investigation of the blue color center in β-Ga2O3 crystals by the EFG method
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Laser damage mechanism and in-situ observation of stacking fault relaxation in β-Ga2O3 single crystal by EFG method
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