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穆文祥
副教授
所属院部：
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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High-Performance beta-Ga2O3 Solar-Blind Photodetector With Extremely Low Working Voltage
所属单位：
新一代半导体材料研究院
发表刊物：
IEEE Electron Device Letters
第一作者：
Chen, Chen
论文编号：
D28F653E3CF3443DBEF3C701EA361D1A
卷号：
42
期号：
10
页面范围：
1492
字数：
5000
是否译文：
否
发表时间：
2021-10-01
上一条：
Hysteresis-free and μ s-switching of D/E-modes Ga2O3hetero-junction FETs with the BV2/Ron,spof 0.74/0.28 GW/cm2
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Toward Smart, Flexible, and Omnidirectional Self-Powered Photodetection by an All-Solution-Processed In2O3/Pbl2？Heterojunction
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