穆文祥

副教授

Hysteresis-free and μ s-switching of D/E-modes Ga2O3hetero-junction FETs with the BV2/Ron,spof 0.74/0.28 GW/cm2

• 所属单位：
  新一代半导体材料研究院
• 发表刊物：
  APPLIED PHYSICS LETTERS
• 第一作者：
  Wang, Chenlu
• 论文编号：
  1541718969515261953
• 卷号：
  120
• 期号：
  11
• 字数：
  5000
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2022-03-14