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山东大学
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穆文祥
副教授
所属院部:
新一代半导体材料集成攻关大平台
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论文成果
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High-performance solar-blind photodetector based on Si-doped α-Ga2O3 thin films grown by Mist Chemical Vapor Deposition
所属单位:
新一代半导体材料研究院
发表刊物:
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS
第一作者:
欧阳佳慧
论文编号:
A3EFB7341E1E4C4A9665383DA4A689CE
期号:
1003
字数:
5000
是否译文:
否
发表时间:
2024-07-18
上一条:
Solar-blind photodetectors prepared using semi-insulating Co:β-Ga2O3 single crystals that are stable over a wide temperature range
下一条:
Pt/ZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub> Schottky Barrier Diodes Fabricated by Using Single Crystal n-ZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub> (111) Substrates
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