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穆文祥
副教授
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Deep-level defects and carrier manipulation in Sn-doped β-Ga2O3 (100) single crystals
发布时间：2025-07-16
论文名称：
Deep-level defects and carrier manipulation in Sn-doped β-Ga2O3 (100) single crystals
发表刊物：
Science China Materials
论文类型：
期刊论文
是否译文：
否
发表时间：
2025-06
发布时间：
2025-07-16
上一条：
Unraveling the Atomic Mechanism of the Crystalline Phase‐Dependent Structural Features and Special Spectral Design of α‐, β‐, and Ɛ‐Ga2O3
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Optimization of oxygen flow rate toward high-quality ε-Ga2O3 thin films grown on sapphire substrates and solar-blind ultraviolet photodetectors
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