穆文祥
副教授
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Deep-level defects and carrier manipulation in Sn-doped β-Ga2O3 (100) single crystals
发布时间：2025-09-13
  • 所属单位：
    新一代半导体材料研究院
  • 论文名称：
    Deep-level defects and carrier manipulation in Sn-doped β-Ga2O3 (100) single crystals
  • 发表刊物：
    SCIENCE CHINA-MATERIALS
  • 论文编号：
    1934541961818955777
  • 字数：
    2000
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2025-06
  • 发布时间：
    2025-09-13
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