穆文祥
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Improving the quality of MOCVD-Grown α-Ga2O3 by introducing an AGO buffer on m-plane sapphire
发布时间：2025-09-26
  • 所属单位：
    新一代半导体材料研究院
  • 论文名称：
    Improving the quality of MOCVD-Grown α-Ga2O3 by introducing an AGO buffer on m-plane sapphire
  • 发表刊物：
    VACUUM
  • 第一作者：
    Li, Zhucheng
  • 论文编号：
    1945404935660003330
  • 卷号：
    240
  • 字数：
    2000
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2025-10
  • 发布时间：
    2025-09-26
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