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Ambipolar transport in Ni-catalyzed InGaAs nanowire field-effect transistors for near-infrared photodetection

发布时间:2021-05-27
点击次数:
所属单位:
物理学院
发表刊物:
Nanotcchnology
第一作者:
郭亚楠
论文类型:
基础研究
论文编号:
B7C57D2018A54150956241884F68D3B2
卷号:
32
期号:
14
是否译文:
发表时间:
2021-01-13