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Neuromorphic memristor based on amorphous InAlZnO film for synaptic behavior simulation

发布时间:2024-01-19
点击次数:
所属单位:
集成电路学院
发表刊物:
APPLIED PHYSICS LETTERS
论文编号:
DFDEF2DCDC314F80B05FDCDBD68F6AA1
期号:
25
字数:
3
是否译文:
发表时间:
2023-12-19