桑鹏鹏
副研究员
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A Computational Study on Electrical Contacts in Monolayer hhk-Si Field-Effect Transistors
发布时间：2025-09-30
  • 所属单位：
    信息科学与工程学院
  • 论文名称：
    A Computational Study on Electrical Contacts in Monolayer hhk-Si Field-Effect Transistors
  • 发表刊物：
    IEEE Transactions on Electron Devices
  • 第一作者：
    桑鹏鹏
  • 论文编号：
    E704516EE1B3460ABB9627618F877FB2
  • 期号：
    72
  • 字数：
    4000
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2025-01
  • 发布时间：
    2025-09-30
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