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桑鹏鹏
副研究员
所属院部：
信息科学与工程学院
访问次数：
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Van der Waals Heterostructure Contact Strategy for Barrier-Free 2D Complementary Transistors
发布时间：2025-09-30
所属单位：
信息科学与工程学院
论文名称：
Van der Waals Heterostructure Contact Strategy for Barrier-Free 2D Complementary Transistors
发表刊物：
Advanced functional materials
第一作者：
桑鹏鹏
论文编号：
0873C734977A49F38E7FF276BD4A2F38
期号：
34
字数：
6000
是否译文：
否
发表时间：
2024-09
发布时间：
2025-09-30
上一条：
Two-Dimensional Silicon Atomic Layer Field-Effect Transistors: Electronic Property, Metal-Semiconductor Contact, and Device Performance
下一条：
A Computational Study on Electrical Contacts in Monolayer hhk-Si Field-Effect Transistors
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