Ga2O3 Field-Effect-Transistor-Based Solar-Blind Photodetector With Fast Response and High Photo-to-Dark Current Ratio
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所属单位：微电子学院
发表刊物：IEEE Electron Device Letters
全部作者：贾志泰,徐明升,辛倩,陶绪堂,宋爱民
第一作者：刘雅璇
论文类型：基础研究
论文编号：66B4D67ADAA14F45A7151DDCA11B3602
卷号：39
期号：11
页面范围：1696
是否译文：否
发表时间：2018-11-01
发表时间：2018-11-01