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High-Performance InGaZnO-Based ReRAMs

发布时间：2019-06-06 点击数：

所属单位：微电子学院

论文名称：High-Performance InGaZnO-Based ReRAMs

发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices

第一作者：马鹏飞

全部作者：王一鸣,辛倩,李玉香,宋爱民

论文类型：基础研究

论文编号：30A3D463D46B446FAF932289DEB289FE

卷号：66

期号：6

页面范围：2600

是否译文：否

发表时间：2019-06

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