Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation
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所属单位：微电子学院
发表刊物：Applied physics letters
全部作者：王一鸣,冯先进,宋爱民
第一作者：朱庚昌
论文类型：基础研究
论文编号：lw-178680
卷号：109
页面范围：113503
是否译文：否
发表时间：2016-09-12
发表时间：2016-09-12