Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation
发布时间：2019-06-12 点击数：
所属单位：微电子学院
论文名称：Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation
发表刊物：Applied physics letters
第一作者：朱庚昌
全部作者：王一鸣,冯先进,宋爱民
论文类型：基础研究
论文编号：lw-178680
卷号：109
页面范围：113503
是否译文：否
发表时间：2016-09