宋爱民 (教授)

教授 博士生导师 硕士生导师

性别:男

毕业院校:山东大学

学历:研究生(博士)毕业

学位:博士生

在职信息:在职

所在单位:微电子学院

办公地点:软件园校区

电子邮箱:songam@sdu.edu.cn

   
当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Effects of substrate and anode metal annealing on InGaZnO Schottky diodes

点击次数:

所属单位:微电子学院

发表刊物:Applied physics letters

全部作者:辛倩,王卿璞,宋爱民

第一作者:杜路路

论文类型:基础研究

论文编号:BD2B5BE799D34C5894DA8117A542B869

卷号: 110

期号:1

是否译文:

发表时间:2017-01-02

发表时间:2017-01-02

上一条: Achieving high performance Ga2O3 diodes by adjusting chemical composition of tin oxide Schottky electrode

下一条: Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation