High performance InGaZnO-based Schottky diodes fabricated at room temperature
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：Physica Status Solidi C
第一作者：严林龙
论文编号：lw-180407
字数：4500
是否译文：否
发表时间：2015-09-13
发表时间：2015-09-13
教授 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：博士研究生毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：微电子学院
入职时间：1987-07-01
职务：院党委书记、副院长
学科：微电子学与固体电子学
办公地点：高新区软件校区微电子学院3B202室
电子邮箱：wangqingpu@sdu.edu.cn
High performance InGaZnO-based Schottky diodes fabricated at room temperature
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所属单位：微电子学院
发表刊物：Physica Status Solidi C
第一作者：严林龙
论文编号：lw-180407
字数：4500
是否译文：否
发表时间：2015-09-13
发表时间：2015-09-13