Highly Optimized Complementary Inverters Based on p-SnO and n-InGaZnO With High Uniformity
发布时间：2019-10-24
点击次数：
- 所属单位：
- 集成电路学院
- 发表刊物：
- IEEE Electron Device Letters
- 全部作者：
- 辛倩,王一鸣,周莉,王卿璞,宋爱民
- 第一作者：
- 杨进
- 论文编号：
- 380A7EA0D0E84282A8B90E41FA3EADCD
- 卷号：
- 39
- 期号：
- 4
- 页面范围：
- 516
- 字数：
- 4
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2018-03-22