返回中文主页
论文成果
Toward Low-Thermal-Budget Processing in Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films by Ozone Interface Oxidation
  • 所属单位：
    信息科学与工程学院
  • 发表刊物：
    IEEE Electron Device Letters
  • 第一作者：
    台路
  • 论文编号：
    1737382290592821250
  • 卷号：
    44
  • 期号：
    12
  • 页面范围：
    1959-1962
  • 字数：
    3
  • 是否译文：
    否
  • 发表时间：
    2023-12-01

上一条：Sub-10 nm HfZrO ferroelectric synapse with multiple layers and different ratios for neuromorphic computing

下一条：Significant Reliability Improvement by Inducing Dual Atomic-Thin Titanium Intercalation Layers in Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 Films

版权所有   ©山东大学　地址：中国山东省济南市山大南路27号　邮编：250100　
查号台：（86）-0531-88395114
值班电话：（86）-0531-88364731　建设维护：山东大学信息化工作办公室