Silicon Atomic-Layer Doped Hf $_{\text{0.7}}$ Zr $_{\text{0.3}}$ O $_{\text{2}}$ Films: Toward Low Coercive Field (0.64 MV/cm) and High Endurance ( ${>}\text{10}^{\text{12}}$ Cycles)

发布时间：2025-10-02

• 所属单位：
  信息科学与工程学院
• 发表刊物：
  IEEE Transactions on Electron Devices
• 第一作者：
  台路
• 论文编号：
  1806576807300517889
• 页面范围：
  1-4
• 字数：
  3
• 是否译文：
  否
• 发表时间：
  2024-01