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[1].6英寸半绝缘4H-SiC 衬底材料的开发技术项目6英寸半绝缘4H-SiC 衬底材料的开发技术项目,2020-03-16,2021-03-16
[2].6-8英寸4H-SiC衬底产业化关键技术研究6-8英寸4H-SiC衬底产业化关键技术研究,2019-01-01,2021-12-31
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肖龙飞
性别:男
在职信息: 在职
所在单位: 晶体材料研究院(晶体材料全国重点实验室)
入职时间: 2018-07-06
所属院系: 晶体材料研究院
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