后摩尔时代正重构全球芯片产业，迫切需要发展与硅基CMOS器件兼容的新材料和新电路等系统性的创新体系，以适应未来对半导体技术“更高速、更智能”的需求。薄膜氧化物半导体有较高的迁移率和低关态电流，可大面积均匀制备，易于批量生产并降低成本，可兼容硅基后端工艺BEOL，在柔性可穿戴电子、消费类电子、人工智能芯片、汽车电子、物联网等领域具有巨大应用潜力。此外，超宽禁带半导体氧化镓作为继SiC、GaN之后的新一代半导体材料，在电力电子、日盲光电探测等领域也显示出了巨大的应用前景。本团队面向后摩尔时代对新材料、新器件、新芯片的重大需求，围绕新兴氧化物半导体材料（IGZO、SnO、Ga2O3等）、器件与集成方向的关键科学问题和核心技术难题开展工作。