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Extremely Sensitive Dependence of SnOx Film Properties on Sputtering Power
发布时间：2019-04-14
点击次数：
所属单位：
微电子学院
第一作者：
辛倩
论文类型：
基础研究
论文编号：
lw-199196
卷号：
6
页面范围：
36183
是否译文：
否
发表时间：
2016-11-08
上一条：
Influence of sputtering conditions on room-temperature fabricated InGaZnO-based Schottky diodes
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Flexible indium-gallium-zinc-oxide Schottky diode operating beyond 2.45 GHz
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