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Influence of sputtering conditions on room-temperature fabricated InGaZnO-based Schottky diodes
发布时间:2019-04-14
点击次数:
所属单位:
微电子学院
第一作者:
辛倩
论文类型:
基础研究
论文编号:
lw-199197
卷号:
616
页面范围:
569
是否译文:
否
发表时间:
2016-09-13
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