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Effects of substrate and anode metal annealing on InGaZnO Schottky diodes

发布时间:2019-06-12
点击次数:
所属单位:
微电子学院
发表刊物:
Applied physics letters
全部作者:
辛倩,王卿璞,宋爱民
第一作者:
杜路路
论文类型:
基础研究
论文编号:
BD2B5BE799D34C5894DA8117A542B869
卷号:
110
期号:
1
是否译文:
发表时间:
2017-01-02