Achieving high performance Ga2O3 diodes by adjusting chemical composition of tin oxide Schottky electrode
发布时间：2019-10-22
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- Semiconductor Science and Technology
- 全部作者：
- 陶绪堂,宋爱民,徐明升,穆文祥,贾志泰,王鑫煜,辛公明
- 第一作者：
- 辛倩
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- 343681EE28154666B317A53CC22C80CE
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2019-06-06