Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe
发布时间：2019-10-22
点击次数：
- 所属单位：
- 微电子学院
- 论文名称：
- Schottky-barrier thin-film transistors based on HfO2-capped InSe
- 发表刊物：
- Applied physics letters
- 第一作者：
- 辛倩
- 全部作者：
- 宋爱民,王一鸣,时彦朋,张翼飞
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- 7B2AFA27B7F54882ACFDC3B4111227BF
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2019-07
- 发布时间：
- 2019-10-22