Ga2O3 Field-Effect-Transistor-Based Solar-Blind Photodetector With Fast Response and High Photo-to-Dark Current Ratio
发布时间：2019-10-24
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- 所属单位：
- 微电子学院
- 发表刊物：
- IEEE Electron Device Letters
- 全部作者：
- 贾志泰,徐明升,辛倩,陶绪堂,宋爱民
- 第一作者：
- 刘雅璇
- 论文类型：
- 基础研究
- 论文编号：
- 66B4D67ADAA14F45A7151DDCA11B3602
- 卷号：
- 39
- 期号：
- 11
- 页面范围：
- 1696
- 是否译文：
- 否
- 发表时间：
- 2018-11-01